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厂商型号

FDC6306P_Q 

产品描述

MOSFET SSOT-6 P-CH -20V

内部编号

3-FDC6306P-Q

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDC6306P_Q产品详细规格

规格书 FDC6306P_Q datasheet 规格书
Status Obsolete
RoHS No
晶体管极性 P-Channel
漏源击穿电压 - 20 V
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 - 1.9 A
抗漏源极RDS ( ON) 0.17 Ohms
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SSOT-6
封装 Reel
下降时间 9 ns
正向跨导gFS (最大值/最小值) 4 S
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 0.96 W
上升时间 9 ns
典型关闭延迟时间 14 ns
寿命 Obsolete

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